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FU Berlin
Digitale Dissertation

Hans-Jürgen Muffler :
Realization and functional principle of an alternative concept of material and deposition for buffers of solar cells
Umsetzung und Funktionsprinzip eines alternativen Material- und Abscheidekonzepts für Pufferschichten von Solarzellen

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Abstract

In this thesis, a novel concept of depositing sulfidic buffers of Cu(In,Ga)(S,Se)2 "CIGSSe" solar cells is developed. This alternative to the chemical bath deposition process is based on the Ion-Layer-Gas-Reaction (ILGAR) method, which recently was developed at the Hahn-Meitner-Institute. Moreover, the heavy metal containing CdS usually used in such chalcopyrite solar cells is replaced by an alternative, more ecological zinc-sulfur compound. Beside the systematic increase in solar cell efficiency the electronic properties of such an alternative device and the physical properties of the buffer material are investigated. After the presentation of the ILGAR-method the first part of this work illustrates that ILGAR-sulfide layers, deposited on smooth substrates and at temperatures below 100°C, show a significant blue shift in their optical absorption due to the quantum size effect. This effect is used to investigate the growth behavior of ILGAR-films in a quick and uncomplicated way. A specially developed computer program simulating the optical absorption edge and taking into account the distribution of crystallite size, the quantum size effect and the phonon-photon-coupling is presented. It facilitates the understanding of the complex growth process of the ILGAR-sulfide layer. The main result of this growth study is that the crystallization behavior of the precursor salt has a significant influence on growth characteristic. The second part of this work concerns the development of the novel deposition concept and the alternative buffer with respect to CdS. It is shown that the use of ammonia free metal salt solutions at room temperature in the ILGAR process makes a chemical pretreatment of the CIGSSe absorber necessary. XPS-analysis shows that ammonia and KCN dissolved in water remove sodium carbonate and selenium dioxide from the absorber surface. Moreover, the results are an indication of a reduction of oxygen bound to the absorber. For the first time XPS analysis and optical spectroscopy have been used to prove that there is a deposition of cadmium hydroxide and zinc hydroxide on the absorber surface by the corresponding treatments. In the case of buffer free solar cells an increase in open circuit voltage is observed with increasing temperature of a zinc-dimethylsulphoxide treatment, confirming the assumption of a diffusion of metal ions into the absorber surface. The chemical pretreatment is one substantial part of the novel deposition concept. Moreover, the composition of the sulfidic buffer is important in this concept. It is shown that for a well working device this layer must be a mixture of sulfide, hydroxide and oxide. An ILGAR-Zn(OH,O)S buffered CIGSSe-solar cell than reaches an efficiency of eta=14.2 %; the CBD-CdS buffered reference cell leads to eta=14.1 %. By the development of an efficiently working Zn(OH,O)S buffer a cadmium free alternative to the CBD-CdS buffer for chalcopyrite solar cells with comparable device performance is demonstrated.

Table of Contents

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   Inhaltsverzeichnis

Titelblatt
1 Einleitung
1
         
2 ION LAYER GAS REACTION ILGAR, ein alternatives Depositionsverfahren für dünne Beschichtungen
5
2.1
Depositionsmethoden für Verbindungen in der Dünnschichttechnologie
5
2.2
ILGAR-Verfahren
6
 
2.2.1
Funktionsprinzip
6
 
2.2.2
Chemische Reaktionsprozesse für II?VI-Halbleiterschichten
8
 
2.2.3
Die Deposition von Sulfidverbindungen
8
 
2.2.4
Die Deposition von Oxidverbindungen
9
 
2.2.5
Die Deposition von Hydroxid-Oxid-Sulfidgemischen
10
2.3
Zusammenfassung des Kapitels
11
           
3 Informationen über das Schichtwachstum beim ILGAR-Sulfid-Prozeß aus strukturellen und optischen Eigenschaften
13
3.1
Standard-ILGAR-Präparationsbedingungen für nanokristalline Sulfidschichten
13
3.2
Komposition, Kristallstruktur und Morphologie von ILGAR-Metallsulfid-Schichten
14
 
3.2.1
Komposition und Kristallstruktur
15
 
3.2.2
Morphologie der ILGAR-Sulfidschichten
17
3.3
Vereinfachtes Wachstumsmodell von ILGAR-CdS-Nanokristalliten
18
 
3.3.1
Abschätzung der Weite der optischen Bandlücke
18
 
3.3.2
Größenquantisierungseffekt und Kristallitgrößenbestimmung bei den ILGAR-CdS- Schichten
20
 
3.3.2.1
"Größenquantisierungseffekt" (Q-Size-Effect)
21
 
3.3.2.2
Einfluß der Schichtdicke auf die Kristallitgröße
24
 
3.3.2.3
Einfluß der CdCl2-Konzentration auf die Kristallitgröße
24
 
3.3.2.4
Mechanismus der ILGAR-CdS-Abscheidung
25
3.4
Beschreibung der Absorptionskante einer nanokristallinen Schicht
27
 
3.4.1
Lichtabsorption und Interbandübergänge bei nanokristallinen Schichten
28
 
3.4.2
Berücksichtigung der Kristallitgrößenverteilung einer nanokristallinen Schicht
29
3.5
Anwendung des optischen Modells auf nanokristalline ILGAR-ZnS-Schichten
31
 
3.5.1
Vorgehensweise bei der Simulation
31
 
3.5.2
Optisches Absorptionsverhalten von ILGAR-ZnS-Schichten
32
3.6
Zusammenfassung des Kapitels
37
           
4 Modifikationen des ILGAR-Sulfid-Verfahrens für verschiedene Anwendungs- bereiche
39
4.1
Einfluß der Prozeßführung auf die stöchiometrischen und optischen Eigenschaften der ILGAR-Sulfid-Schichten
39
 
4.1.1
Reduzieren und Entfernen von Ausgangsmaterial
39
 
4.1.2
Modell des Reaktionsablaufs beim ILGAR-Sulfid-Prozeß
42
4.2
Anwendungsbeispiele
44
4.3
Zusammenfassung des Kapitels
45
           
5 Sulfidische ILGAR-Halbleiterschichten in Chalkopyrit-Dünnschichtsolarzellen
47
5.1
Aufbau der Cu(In,Ga)(S,Se)2-Chalkopyrit-Dünnschichtsolarzelle und Aufgabe der Pufferschicht
47
 
5.1.1
Funktion der bisher verwendeten CBD-CdS-Pufferschicht und Rolle des Abscheideverfahrens
48
 
5.1.2
Anforderungen an alternative Pufferschichten und Abscheideverfahren
50
5.2
Diagnostik für die Entwicklung der Dünnschichtsolarzelle
51
 
5.2.1
Wirkungsweise der Solarzelle und Zellenparameter
51
 
5.2.2
Photoelektronen-Spektroskopie ? eine Methode zur Grenzflächenanalyse
53
5.3
Einfluß der Oberflächen-Modifikation des Absorbers auf die Bauelement-Eigenschaften
55
 
5.3.1
Verfahren der Oberflächenmodifikation des Absorbers
55
 
5.3.2
Ergebnisse aus der Oberflächenmodifikation von CIGSSe
67
5.4
Solarzellen mit ILGAR-Pufferschichten; Einfluß der chemischen Zusammensetzung des Puffers
69
 
5.4.1
ILGAR-Sulfid-Puffer
69
 
5.4.2
ILGAR-Hydroxid-Oxid-Sulfid-Puffer für hocheffiziente CIGSSe-Solarzellen
72
5.5
Zusammenfassung des Kapitels
80
           
6 Zusammenfassung
81
           
Anhang      
AI) Bestimmung des Volumenanteils von ZnS im ILGAR-ZnS-Dünnfilm
85
AII) Funktionsprinzip des Spektrophotometers und Auswertung der Transmissions- und Reflexionsspektren
86
AIII) Standardbedingungen der Pufferschichtabscheidung
90
AIV) Photoelektronen-Spektroskopie ? Übersichtsspektren von Cu(In,Ga)(S,Se)2, 
Mess- und Literaturdaten
92
AV) Materialeigenschaften der betrachteten Sulfid-Verbindungen
96
AVI) Formelzeichen und Abkürzungen
98
           
Literaturverzeichnis
100
Patent, Veröffentlichungen, Konferenz- und Messebeiträge
105
Lebenslauf / Danksagung  

More Information:

Online available: http://www.diss.fu-berlin.de/2001/156/indexe.html
Language of PhDThesis: german
Keywords: deposition method, II-VI semiconductors, buffer, solar cell, quantum dots
DNB-Sachgruppe: 29 Physik, Astronomie
Classification PACS: 81.05.Dz, 81.07.Ta, 78.40.Fy, 78.67.Hc, 78.20.Bh, 84.60.Jt, 85.30.De, 81.65.Cf, 81.70.Jb
Date of disputation: 22-May-2001
PhDThesis from: Fachbereich Physik, Freie Universität Berlin
First Referee: Prof. Dr. Martha Ch. Lux-Steiner
Second Referee: Prof. Dr. Dieter Bräunig
Contact (Author): hans-juergen_muffler@web.de
Contact (Advisor): lux-steiner@hmi.de
Date created:09-Aug-2001
Date available:31-Aug-2001

 


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